DDR-4, 21300 Мб/с, CL18-18-18-43, 1.2 В
  • Производитель:
  • Гарантия
    3 года
  • Артикул:
    PVS416G266C8S
4 644р.
Под заказ (14 д.)
Внимание!

На оборудование, которое редко встречаются в продаже, а также эксклюзивные товары - действует предоплата в размере 30% на расчетный счет компании.

Общие характеристики
Activate to Precharge Delay (tRAS) 43
Высота модуля 30 мм
Код производителя PVS416G266C8S
Количество модулей в комплекте 1
Объем модуля, Гб 16384 Мб
Объем одного модуля памяти 16384 Мб
Производитель Patriot Memory
Пропускная способность, Мб/с 21300 Мб/с
Система охлаждения   нет
Тактовая частота, Мгц 2666 МГц
Тип памяти DDR-4
Форм-фактор SO-DIMM
Тайминги
CAS Latency (CL) 18
RAS to CAS Delay (tRCD) 18
Row Precharge Delay (tRP) 18
Дополнительно
Напряжение питания, В 1.2 В