• Производитель:
  • Гарантия
    СЦ производителя
  • Артикул:
    M378A1K43EB2-CVF00
Цену уточняйте
Нет в наличии
Внимание!

На оборудование, которое редко встречаются в продаже, а также эксклюзивные товары - действует предоплата в размере 30% на расчетный счет компании.

Общие характеристики
Activate to Precharge Delay (tRAS) 43
Activate to Precharge Delay (tRAS) 43
PN M378A1K43EB2-CVF00
Буферизованная (Registered) нет
Буферизованная (Registered) нет
Количество контактов 288
Количество контактов 288
Напряжение питания 1.2 В
Напряжение питания 1.2 В
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Низкопрофильная (Low Profile) Да
Общий объём 8 Гб
Общий объем памяти (Гб) 8 Гб
Поддержка ECC нет
Поддержка ECC нет
Поддержка XMP нет
Подсветка нет
Подсветка элементов платы нет
Производитель Samsung
Производитель Samsung
Пропускная способность 23400 Мб/с
Пропускная способность 23400 Мб/с
Радиатор нет
Радиатор нет
Тактовая частота (МГц) 2933
Тип памяти DDR4
Тип памяти DDR4
Форм фактор DIMM
Форм фактор DIMM
Тайминги
CAS Latency (CL) 21
CAS Latency (CL) 21
RAS to CAS Delay (tRCD) 21
RAS to CAS Delay (tRCD) 21
Row Precharge Delay (tRP) 21
Row Precharge Delay (tRP) 21