На оборудование, которое редко встречаются в продаже, а также эксклюзивные товары - действует предоплата в размере 30% на расчетный счет компании.
- Производитель:
- ГарантияСЦ производителя
- Артикул:M378A1K43EB2-CVF00
- 0
Цену уточняйте
Нет в наличии
Общие характеристики | |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 43 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 43 |
PN | M378A1K43EB2-CVF00 |
Буферизованная (Registered) | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Количество контактов | 288 |
Количество контактов | 288 |
Напряжение питания | 1.2 В |
Напряжение питания | 1.2 В |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | Да |
Общий объём | 8 Гб |
Общий объем памяти (Гб) | 8 Гб |
Поддержка ECC | нет |
Поддержка ECC | нет |
Поддержка XMP | нет |
Подсветка | нет |
Подсветка элементов платы | нет |
Производитель | Samsung |
Производитель | Samsung |
Пропускная способность | 23400 Мб/с |
Пропускная способность | 23400 Мб/с |
Радиатор | нет |
Радиатор | нет |
Тактовая частота (МГц) | 2933 |
Тип памяти | DDR4 |
Тип памяти | DDR4 |
Форм фактор | DIMM |
Форм фактор | DIMM |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | 21 |
CAS Latency (CL) | 21 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 21 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 21 |
Row Precharge Delay (tRP) | 21 |
Row Precharge Delay (tRP) | 21 |